CRYSTAL GROWTH FURNACE

长晶炉

SILICON PARTS FOR ETCHING EQUIPMENT

刻蚀设备用硅部件

PICK UP TECHNOLOGY

半导体制造工艺

碳化硅晶体经过切片、研磨、抛光后得到碳化硅衬底,是制造半导体器件的基础材料。碳化硅晶体的主流制造方法包括物理气相传输法(PVT, Physical Vapor Transport)、液相法(LPE,Liquid Phase Expitaxy)。丰港化学作为晶体生长炉的专业制造商,提供一流品质的兼容6/8寸的电阻加热式PVT长晶炉、6寸以上LPE长晶炉,并提供相应的晶体生长工艺咨询及技术支持。

半导体设备制造工艺

在半导体形成中,也是是制造设备生产的过程。丰港化学具有长年累积的经验,主要在液相法、气相法碳化硅晶体炉领域;尤其是在碳化硅晶体生长领域,目前已经有国内大厂应用业绩。特别是可以提供液相法、气相法长晶工艺包,非常有竞争力。

电阻加热解决大尺寸SiC晶体生长方案

作为碳化硅晶体长晶炉设备行业领先的丰港化学,核心技术已经过多种先进半导体晶圆级工艺验证,相关产品已在部分应用中规模化量产,主营业务包括氧化镓异质集成材料、α 相氧化镓生长装备、第三代半导体器件封装装备及创新技术解决方案提供等。丰港化学近年来更是着眼于节能减排(电动汽车,电力控制)的环境目标,积极向功率半导体市场进军,力争成为半导体制造设备领域世界领先的综合服务企业。

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