利用物理气相传输（PVT）或液相法（LPE）在籽晶的基础上生长碳化硅单晶，晶型一般为4H，分为导电型或者半绝缘型。直径有4寸、6寸、8寸，厚度一般为5-30mm。
将碳化硅单晶锭的两头进行切割或研磨，对晶锭的外圆进行研磨，形成标准柱状体。加工出指示晶体取向的平边（6寸）或notch槽（8寸）。
用金刚石线锯切割法将碳化硅晶锭切割成形成单片晶圆，并进行清洗。
用金刚石砂轮将晶片的外圆磨成标准产品直径（6寸、8寸），然后将晶圆端面磨成弧形并倒角。
将单片晶圆放置在上下研磨夹具之间并进行旋转，同时研磨机对研磨夹具内进行磨料送料，进行两面抛光。
在研磨机旋转夹具的同时进行晶圆的化学表面腐蚀以形成纳米级光洁表面。将晶圆放置在研磨机夹具中，同时由夹具进行特殊化学研磨剂供料，将晶圆表面进行纳米级的平整化处理。
将其上附着有晶片的板压在其上附有砂布的旋转面板上，并且在供应磨料的同时，继续通过机械和化学结合作用进行抛光Si面直至其成为镜面。
用化学药剂和超纯水清洗晶圆，以进行下一步高洁净度、高良率的芯片制造制程。
对晶片表面进行光学外观检查，检查晶圆的平整度、厚度及相关缺陷。
将晶圆放置在干净的晶圆运输箱中，可以是单片包装，也可以是多片包装。
晶圆是在减震的运输箱中运输的，需要避免因轻微撞击而导致的破片损失。