产品特点

  • 可生长8英寸碳化硅晶体
  • 腔体内壁抛光处理，减少附着力，实现高真空
  • 更精准的控压技术，长晶工艺压力波动<5Pa
  • 多温区设计，方便调节轴向和径向温度场
  • 坩埚轴冷却水流量可精确控制，温度场更稳定
  • 配备坩埚升降和旋转功能，方便厚膜晶体生长温度场控制
  • 可选配坩埚拆卸绞盘和平台，拆炉方便、安全
  • 自主开发的控制系统，丰富的公式编辑界面，操作权限分级，可远程控制

技术参数

腔体内部尺寸
Φ850×800mm
总加热功率
55kW
最高温度
2400℃
坩埚轴升降速度
加工速度：0.01-0.5mm/h
快进速度：6-300mm/min
极限真空
1.4E-4Pa
压力控制精度
±0.5％
电源接口
3P 380VAC，95kVA
气源
Ar、He、N2，压力＞0.2MPa
压缩空气、压力0.4-0.6MPa
冷却水
圧力0.3-0.5MPa
流量150L/min
尺寸
2300×2000×3000mm（不包括坩埚拆卸绞车和平台）
3400×2000×3000mm（包括坩埚拆卸绞盘和平台）
重量
3900kg