融合创新 · 突破边界
具宽禁带半导体：SiC
- 禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和漂移速率高等优势；
- 在高功率、高频、高压条件下低损失的工作，是功率电子和射频器件的“核芯”。
SiC应用-1：SiC功率器件
- 应用领域：新能源电动汽车、充电基础设施建设、光伏、UPS等。
- 2027年全球SiC功率器件市场规模预计将超过60亿美元，CAGR约为34%。
SiC应用-2：通信用SiC基GaN射频器件
- 更低的工作温度
- 更高的性能
- 更长的寿命
- 更小的尺寸
- 5G基站
- 卫星通讯
- 手机通讯
- 国防军工
SiC衬底：占据产业链47%价值
- 在SiC功率器件平均成本中，衬底占比>40%，占比最高
- Wolfspeed预测，2026年全球SiC衬底市场规模将达到17亿美元，CAGR约为45%
SiC晶体生长技术
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| 生长温度 | 约2200℃ | 1500-2200℃ | 1460-1800℃ |
| 生长速率 | 0.2-0.4mm/h | 0.3-1.0mm/h | 0.5-2.0mm/h |
| 优点 | 成熟、设备简单 | 纯度高、可连续 | 质量高、可生长P型 |
| 挑战 | 良率低 | 成本高 | 金属污染 |
电阻加热解决大尺寸SiC晶体生长
主要的挑战：径向温度梯度控制
感应加热
趋肤效应：感应电流集中在导体的”皮肤”部分。尺寸越大，趋肤效应越显著。
坩埚内部材料分布变化，影响感应电流分布、频率，导致温度不稳定、温场控制难。
成本更低。
电阻加热
不存在趋肤效应。
不受坩埚内部材料变化影响，可精确控温，温场控制易。
成本更高。
液相法SiC长晶的优势
| 缺陷类型 | PVT市售晶片 | LPE晶片 * |
|---|---|---|
| 微管 | 0.5 | 0 |
| TSD（螺型位错） | 600 | 11 |
| TED（刃型位错） | 3000 | 204 |
| BPD（基平面位错） | 1000 | 64 |
长晶工艺支持
- 籽晶背面涂层
- 籽晶粘接
- PVT长晶热场
- PVT长晶基础工艺
- LPE长晶热场
- LPE长晶基础工艺
- 晶体加工服务
- 数值模拟服务
